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絕緣材料專用納米氧化鋁
,比純PI薄膜增長47%;
(4)在常態下,當納米Al2O3,含量為10%時,復合薄膜的體積電阻率達到最大值,與純PI相比提高了一個數量級,因此加入一定量Al2O3 可以提高復合薄膜的電絕緣性,尤其是高溫體積電阻率。
(5) 50 Hz的交流電室溫下測得,由數據可以看出,晶瑞公司納米氧化鋁雜化聚酰亞胺薄膜的摻雜量達到24% 時,薄膜在60 kV /mm的電場下,薄膜的耐電暈壽命可達到100 h,約為未摻雜薄膜的25倍。摻雜量的不同對于耐電暈時間的提高有明顯的差異。當摻雜量較低時,耐電暈時間提高幅度不大;當摻雜量高到一定程度時,耐電暈時間突然大幅度提高。
注:可以根據客戶要求進行偶聯劑表面改性。
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